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爱游戏官方长鑫存储申请电源电路专利实现随温度动态调节MOS的衬底电压
发布时间:2024-03-26 11:54浏览次数:

  爱游戏平台金融界2024年3月26日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“电源电路、电源电压的提供方法及存储器“,公开号CN117762181A爱游戏官方,申请日期为2022年9月。

  专利摘要显示,本公开涉及半导体电路设计领域爱游戏官方,特别涉及一种电源电路、电源电压的提供方法及存储器,电源电路包括:温度感测模块,被配置为,基于参考信号生成正温度系数电压,正温度系数电压的电压值大小与温度的大小呈正相关;判断模块,连接温度感测模块,被配置为,基于温度参考电压和正温度系数电压的比较结果生成驱动信号,温度参考电压的电压值与预设温度下正温度系数电压的电压值相同;电源提供模块,连接判断模块和温度感测模块,被配置为,根据驱动信号判断,以提供第一内部电源电压或温控电压,温控电压的电压值与正温度系数电压的电压值相同,以随着温度动态调节MOS的衬底电压。

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